ET Enterprises光电探测器模块
PDM9125-CN光电探测器模块集成了一个圆柱形模块、蓝绿灵敏度高，9125B光电倍增管和一个低功耗负高压电源，封装在圆柱形Mu-金属外壳中。信号输出直接从光电倍增管阳极输出，并处于地电位，因此用户可以选择在直流、脉冲计数或光子计数模式下操作模块。
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β射线,beta射线探测器ET Enterprises
ET Enterprises β射线探测器采用5V输入电压、2.6V电压TTL输出，这让β射线检测器能够适配大多数设备；运行温度5~55℃、湿度93%让探测器能够适应恶劣环境
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Femto超高速光信号接收器
Femto超高速光信号接收器的光谱范围是320至1700nm，与光学工作台（自由空间）和光纤等兼容，这系列的Femto光电探测器适合应用于光谱学、光触发和快速脉冲测量和瞬态测量等。
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Opto Diode极紫外光电二极管
SXUV100极紫外光电二极管具有单个有效区域、检测范围达1nm、暴露在极紫外/紫外条件下仍能稳定响应、保护盖板。SXUV100极紫外光电探测器有效面积是100mm2，在1-1000nm下光子的响应度是0.04-0.34A/W。
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Optodiode紫外增强型光电探测器
紫外光电二极管UVG100在190-400nm下典型的光子响应是0.08-0.20A/W，在IR=1µA测试条件下，反向击穿电压最小值是5V，典型值是10V。
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EPIGAP选择性光电二极管
EOPD-880-0-0.5EPIGAP选择性光电二极管安装在密封TO-46封装。在红外范围(810-950nm)内具有窄带和高光谱灵敏度。应用警报系统，光屏障，光谱传感器，光学通信。
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Amplification近红外离散放大光子探测器
Amplification1550系列5x5近红外光电探测器可实现近红外光谱响应，950nm至1650nm、高速自淬火近红外铟镓砷探测器5x5 Array，专为3D激光雷达应用而设计。
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NIRDAPD TEC近红外探测器
Amplification NIRDAPD TEC近红外探测器是一款近红外离散放大光子探测器，波长覆盖950nm至1650nm的近红外波段。
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Roithner 1900nm LED
Roithner高功率发光二极管 继承了Roithner发光二极管SMB1N系列的高功率、砷化镓芯片技术以及采用耐热聚酰胺 (PA9T) SMD封装，底座尺寸均为5x5mm。
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HBPR系列光电探测器
HBPR系列除了出色的技术数据外，还非常重视细节和多功能性，HBPR系列光电探测器由于具有自由空间和光纤耦合输入、可切换的增益和带宽、可切换的AC/DC耦合以及与常见光学附件的广泛机械兼容性
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AXUV光电二极管
AXUV100G X射线光电二极管是电子检测的理想选择，大检测面积、防护罩板。AXUV100G X射线光电探测器的有效面积是100mm2， 在VB=±10mV测试条件下，分流电阻最小值是20欧姆，在IR=1µA测试条件下，反向击穿电压最小值是5V，典型值是10V。
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雪崩光敏二极管APD
First Sensor 的雪崩光电二极管 (APD) 专门针对从蓝光 (400nm) 至红外 (1064nm) 波段的不同波长进行优化设计，对短距离和长距离的应用可实现快速测量并提供超高精度的可靠测量结果
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PIN型光敏二极管
First Sensor PIN光电二极管，也可以称为光敏二极管，具有灵敏度高，低电容，低暗电流的特点，从350-1700nm宽波段都有相应的型号进行挑选
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高速脉冲红外发射二极管
本篇对SPF220-5M2这种高速脉冲红外发射光源，也叫高速脉冲红外激光二极管，进行简要介绍。红外发射二极管,用于各种医疗和工业领域，包括气体分析、环境监测、光谱学和过程控制
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Optodiode近红外LED
Optodiode近红外发光二极管具有高光输出、高耐辐射性等特点。Optodiode近红外LED有窄角、中角、广角三种类型，因此又可以分成窄角近红外发光二极管、中角近红外发光二极管和广角近红外发光二极管三种型号。窄角适合长距离应用，中角可以实现最佳覆盖范围/功率密度，广角覆盖大面积。
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可见光和可见光高功率发光二极管
Optodiode发光二极管适用于需要辐射测量和紧凑光谱带宽的应用，有可见光、可见光高功率、近红外和近红外高功率四种类型发光二极管，本文重点介绍可见光发光二极光和可见光高功率发光二极管。
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Optodiode集成放大器混合光电二极管
Optodiode集成放大器光电二极管电源电压范围为5至15V，功率耗散15mW，存储和操作温度-25°C至+100°C，焊接温度（距外壳1/16英寸，最长3秒）+260°C。光电二极管的电压供应需要从正极到负极，电压最低5V到最高15V。
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Opto Diode可见光增强型探测器
Opto Diode可见光增强型探测器波长范围在400-740nm之间，也可以称之为400-740nm光电探测器。Opto Diode光电二极管具有低电容低暗电流等特点，红色和蓝色增强型光电二极管采用TO-5、TO-8、TO-18封装。红蓝增强型探测器是硅光电二极管或者增强型光电二极管。
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脉冲型红外发射二极管
Opto Diode生产的脉冲型红外发射二极管设计成作为黑体辐射的脉冲发射源。脉冲辐射源的辐射元件是一个超薄的特别配置的金属箔片，这种设置的目的是使被加热的箔片两侧发出的辐射都能高效地沿光轴从封装里发出。
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OptoDiode分段探测器
美国OptoDiode分段光电二极管有红色增强型和紫外线增强型分段探测器是电子检测最理想的选择，分段光电二极管光谱应用范围是250nm-1100nm。
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OptoDiode集成薄膜滤光片光敏二极管
美国OptoDiode集成薄膜滤光片光敏二极管有AXUV100TF030光敏二极管、AXUV100TF400光敏二极管和SXUV100TF135光敏二极管三个型号。OptoDiode滤光片光电二极管有效面积是100mm²，检测范围是1-80nm。
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红外接收二极管
Opto Diode可以制造高性能红外探测器，具有丰富的工作区域尺寸，交替冷却，封装，窗口，透镜和滤波选项。对于气体分析，辐射监测，光谱学，过程控制，火焰和火灾监测等应用来说是理想的探测器。
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红外发射二极管
Opto Diode SA系列红外发射器被设计用来作为直流稳态黑体辐射发射器，发射器中的辐射元件是一个盘绕的灯丝，采用的特定材料，用发射率典型值为0.70的特定镀膜。输出的辐射在光谱范围里近似成一个黑体。SA系列发射器被设计用于1170 K的额定灯丝温度下工作。
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Opto Diode光电探测器阵列
Opto Diode光电探测器阵列可以在紫外、可见、近红外光中进行响应，从典型的紫外-可见-近红外光子响应性图中可以看到灵敏度小于0.5A/W。是电子检测的理想选择。
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近红外和红光增强光电探测器
Optodiode近红外增强型光电探测器是小尺寸，可以减小占地面积。Optodiode近红外和红光增强光电二极管具有坚固的表面贴装器件，适用于高温操作、雨水和阳光感应应用。
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