紫外光电二极管UVG100在190-400nm下典型的光子响应是0.08-0.20A/W，在IR=1µA测试条件下，反向击穿电压最小值是5V，典型值是10V。
所属品牌： Opto diode
Optodiode紫外增强型光电探测器特点：
-方形、圆形有效区域
-适用于190-400nm检测
-100%内部QE
-有效面积5-100mm2
Opto Diode紫外光电探测器UVG100是正方形活动区域，适用于190-400nm检测，在紫外线内有出色的响应。紫外光电二极管UVG100在190-400nm下典型的光子响应是0.08-0.20A/W，在IR=1µA测试条件下，反向击穿电压最小值是5V，典型值是10V。在VR=0V测试条件下，电容的典型值是1nF，最大值是3 nF。在VR=10V, RL=50
Ω测试条件下，上升时间是10μs。
紫外光电二极管UVG12没有最大响应上限，有效面积是圆形，适用于193-400nm的检测。在VF=±10mV，分流电阻最小值是100兆欧姆，最大值是1000兆欧姆。在IR=1µA测试条件下，反向击穿电压最小值是10V。在VR=0V测试条件下，电容的典型值是3nF，最大值是7nF。
典型的光子响应
Optodiode紫外增强型光电探测器UVG20C是一个圆形有效面积，非常适用于电子检测，拥有100%的内部效率，TO-8封装。Opto Diode紫外光电探测器UVG20C有效面积是19mm2，在VR=13V测试条件下，暗电流是30nA。
Optodiode紫外增强型光电探测器UVG20S是一个圆形有效区域，非常适合190-400nm检测，100内部效率，环氧树脂粘结的UV石英玻璃窗。
Opto Diode紫外光电探测器UVG5S有效面积是5mm2，带UV玻璃窗的焊接帽，非常适用于225-400nm检测。
Opto Diode紫外光电探测器
紫外光电二极管UVG在宽温度范围内具有稳定的响应性，在190nm至400nm的紫外光照射下具有长寿命。Opto Diode紫外增强型光电探测器适用于各种各样的应用，包括UV-A、UV-B、UV-C激光器的激光监测。
|
型号 |
零件编号 |
描述 |
|
|
UVG100 |
ODD-UVG-002 |
大方形紫外增强型光电探测器(190-400nm) |
100 |
|
UVG12 |
ODD-UVG-014 |
紫外增强型圆形光电探测器(190-400nm) |
12 |
|
UVG20C |
ODD-UVG-004 |
紫外增强型圆形光电探测器(190-400nm) |
19 |
|
UVG20S |
ODD-UVG-013 |
紫外增强型圆形光电探测器(190-400nm) |
24 |
|
UVG5S |
ODD-UVG-007 |
紫外增强型圆形光电探测器(225-400nm) |
5 |
国产高增益APD,雪崩光电二极管
硅雪崩光电二极管总共有四个型号，C58012-01、C58012-02、C5803-01和C5803-02，增强型雪崩光电二极管波长范围是400-1000nm，光敏面直径0.5mm，国产高增益APD增益最大是100M。
查看详细
近红外LED芯片
EPIGAP专业从事紫外至红外波段，特别是短波红外LED芯片的研发、生产与供应。我们的产品以高效率和卓越的可靠性为核心优势。为满足多样化的应用需求，我们提供在波长、芯片尺寸及极性方面具有广泛选择性的SWIR LED芯片，并支持根据客户具体规格进行定制。此外，针对有严苛质量标准的客户，我们还可提供SWIR LED芯片的预筛选服务，确保产品性能符合特定要求。
查看详细
宽带LED发射器
宽带LED是一种多功能光源，能够发出涵盖广泛光谱范围的光，使其特别适用于超光谱成像、医学诊断和环境监测等领域。EPIGAP OSA Photonics提供具有可定制光谱特性的宽带SMD LED，以满足特定应用需求。
查看详细
TSYS03温度系统传感器
温度系统传感器TSYS包含耐用的温度传感器元件、模数转换器和微控制器，用于通过 I2C 接口管理数据通信。 TSYS03温度系统传感器采用TDFN8封装尺寸，可轻松适应印刷电路板上的可用空间。
查看详细