OSI光电二极管

OSI硅光电二极管总共有36种类型，包括1064nmNd:YAG光电二极管、Nd:YAG光电二极管、雪崩光电二极管(APD)、背照式SMT光电二极管、反向散射光电探测器、蓝色增强光电二极管、放大器混合型探测器滤光片组合、位置传感探测器、线性阵列光电二极管、紫外线增强100%QE光电二极管等等。

所属品牌： OSI Optoelectronics

产品介绍

硅光电二极管是一种半导体器件，用于检测紫外线至近红外区域的光。OSI Optoelectronics已开发出多种适用于该光谱范围内大量应用的OSI Optoelectronics硅光电二极管，这些OSI硅光电二极管适用于该波段内的众多应用，例如：位置感应、功率监测、X射线与伽马射线检测等。如需定制OSI光电二极管，请咨询我们。

OSI线性阵列光电二极管

线性阵列光电二极管由彼此相邻放置的多个单元素光电二极管组成，在公共阴极基板上形成一维感测区域。它们可以同时测量一个或多个波长的移动光束它们具有低电串扰和相邻元件之间的超高均匀性，从而实现非常高精度的测量。在需要大量探测器时，线性阵列提供了一种低成本的替代方案。OSI线性阵列光电二极管针对紫外、可见或近红外范围进行了优化。

线性阵列光电二极管可以工作在光导模式(反向偏置)以减少响应时间，或者在光伏模式（无偏置）下用于低漂移应用。A2V-16可以耦合到任何闪烁体晶体，用于测量电磁频谱的X射线和伽马射线区域中的高能光子此外，它们经过机械设计，因此在需要超过16个元件的应用中，多个A2V-16可以首尾相连地安装在一起。

型号	每个元素有效面积直径	元素数量	间距	在1550nm响应率	电容
A2V-16	75µm	16	1.59mm	0.60A/W	170pF
A5C-35	75µm	35	0.99mm	0.65A/W	12pF
A5V-35	75µm	35	0.99mm	0.60A/W	340pF
A5V-35UV	75µm	35	0.99mm	0.06A/W@254nm	340pF
A5C-38	75µm	38	0.99mm	0.65A/W	12pF
A5V-38	75µm	38	0.99mm	0.60A/W	340pF
A2V-76	75µm	76	0.31mm	0.50A/W	160pF

OSI 1064纳米Nd:YAG光电二极管

Nd:YAG系列OSI硅光电探测器针对1064nm波长（Nd:YAG激光光源）进行了优化。它们具有低电容和快速响应时间。由于其低噪声和高响应性，它们是测量低光强度的理想选择，例如测距应用中由Nd:YAG激光束照射物体反射的光。

OSI硅光电探测器既可以在光伏模式（无偏置）下运行，适用于对低噪声有要求的应用场景，也可以在光电导模式下偏置运行，适用于高速应用。

型号	有效面积	峰值波长	响应度	暗电流	电容	封装
PIN-5-YAG	5.1mm²	1000nm	0.4A/W	10nA	5pF	TO-5
PIN-100-YAG	100mm²	1000nm	0.4A/W	80nA	25pF	Metal
SPOT-9-YAG	19.6mm²	1000nm	0.4A/W	12nA	7pF	Metal
SPOT-11-YAG-FL	26mm²	1000nm	0.42A/W	14nA	12pF	Metal
SPOT-13-YAG-FL	33.7mm²	1000nm	0.42A/W	16nA	14pF	Metal
SPOT-15-YAG	38.5mm²	1000nm	0.42A/W	50nA	15pF	Metal

雪崩光电二极管

硅雪崩光电二极管利用内部倍增效应，通过碰撞电离实现增益。其结果是一系列优化的高响应度器件，表现出优异的灵敏度。OSI提供多种尺寸的OSI光电二极管，适用于光纤应用，这些OSI Optoelectronics硅光电二极管可配备平面窗口或球形透镜。

型号	有效面积直径	增益	灵敏度@增益M	暗电流@增益M	电容	封装
APD02-8-150-xxxx	0.2mm	100	50A/W	0.05nA	1.5pF	T-52
APD05-8-150-xxxx	0.5mm	100	50A/W	0.1nA	3pF	T-52
APD10-8-150-xxxx	1mm	100	50A/W	0.2nA	6pF	T-52
APD15-8-150-xxxx	1.5mm	100	50A/W	0.5nA	10pF	TO-5
APD30-8-150-xxxx	3mm	60	30A/W	1nA	40pF	TO-5
APD50-8-150-xxxx	5mm	40	20A/W	3nA	105pF	TO-8

蓝色增强光电二极管

硅蓝色增强光电二极管用于需要高灵敏度和中等响应速度的应用，蓝色增强光电二极管系列在可见光蓝色区域增加了额外的灵敏度。光谱响应范围从350到1100纳米，使得常规光伏器件非常适合可见光和近红外应用。这些OSI Optoelectronics硅光电二极管具有高分流电阻和低噪声，并具有长期稳定性。在直流或低速应用中，这些OSI光电二极管的无偏差运行可在较大的温度变化下保持稳定。对于高光强(大于10mW/cm2)情况，应考虑使用光导系列探测器以获得更好的线性度。

型号	有效面积	灵敏度	分流阻抗	上升时间	电容	封装
OSD1-5T	1mm²	0.21A/W	250GΩ	7ns	35pF	TO-18
OSD3-5T	3mm²	0.21A/W	100GΩ	9ns	80pF	TO-18
OSD5-5T	5mm²	0.21A/W	100GΩ	9ns	130pF	TO-5
OSD15-5T	15mm²	0.21A/W	50GΩ	12ns	390pF	TO-5
OSD60-5T	62mm²	0.21A/W	3GΩ	30ns	1800pF	TO-8
OSD100-5TA	100mm²	0.21A/W	2 GΩ	45ns	2500pF	Special
PIN-040DP/SB	0.81mm²	0.20A/W	600GΩ	0.02ns	60pF	TO-18
PIN-040DP/SB	5.1mm²	0.20A/W	150GΩ	0.2ns	450pF	TO-5
PIN-10DP/SB	100mm²	0.20A/W	10GΩ	2ns	8800pF	BNC
PIN-10DPI/SB	100mm²	0.20A/W	10GΩ	2ns	8800pF	Metal
PIN- 220DP/SB	200mm²	0.20A/W	5GΩ	2ns	17000pF	Plastic

紫外线增强100%QE光电二极管

OSI光电提供两种不同的紫外线增强硅光电二极管系列。反转通道系列和平面扩散系列。这两个系列的器件都是专为电磁波谱紫外区的低噪声检测而设计的。

反转层结构UV增强光电二极管表现出100%的内部量子效率，非常适合低强度光的测量。它们具有高分流电阻、低噪声和高击穿电压。当施加5至10伏反向偏压，整个表面的响应均匀性和量子效率提高。在光伏模式(无偏置)下，电容高于扩散设备，但随着反向偏压的施加会迅速下降。与扩散器件相比，反转层器件的光电流非线性设置在较低的光电流下。在700nm以下，它们的响应度随温度变化不大。

型号	有效面积	灵敏度@254nm	分流电阻	电容	封装
UV-005	5.1mm²	0.14A/W	200MΩ	300pF	TO-5
UV-015	15mm²	0.14A/W	100MΩ	800pF	TO-5
UV-20	20mm²	0.14A/W	50MΩ	1000pF	TO-8
UV-35	35mm²	0.14A/W	30MΩ	1600pF	TO-8
UV-35P	35mm²	0.14A/W	30MΩ	1600pF	Plastic
UV-50	50mm²	0.14A/W	20MΩ	2500pF	BNC
UV-100	100mm²	0.14A/W	10MΩ	4500pF	BNC
UV-100L	100mm²	0.14A/W	10MΩ	4500pF	Low Profile

紫外增强近红外抑制光电二极管

OSI系列平面扩散结构的紫外增强型光电二极管与反转层器件相比显示出显著优势，如更低的电容和更高的响应时间。与反转层器件相比，这些器件表现出高达更高的光输入功率的光电流线性。他们相较于反转层器件具有相对较低的响应度和量子效率。目前有两种平面扩散紫外增强型光电二极管可供选择，UVDQ系列和UVEQ系列。这两个系列在电光特性上几乎相同，但UVEQ系列中，设备对近红外区域的响应被抑制。如果需要阻挡光谱中的近红外区域，这一点尤其可取。

型号	有效面积	峰值波长	分流电阻	反向电压	封装
UV-005EQ	5.7mm²	720nm	20GΩ	140V	TO-5
UV-005EQC	5.7mm²	720nm	20GΩ	140V	Ceramic
UV-013EQ	13mm²	720nm	10GΩ	280V	TO-5
UV-035EQ	34mm²	720nm	5GΩ	800V	TO-8
UV-035EQC	34mm²	720nm	5GΩ	800V	Ceramic
UV-100EQ	100mm²	720nm	2GΩ	2500V	BNC
UV-100EQC	100mm²	720nm	2GΩ	2500V	Ceramic

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TSYS03温度系统传感器

硅材料APDs，雪崩光电二极管

气体传感VCSEL激光器

Infrasolid热辐射红外光源