Opto Diode公司总部位于加利福尼亚州卡马里奥，optodiode在提供行业领先的传感器、光电二极管、增强型光电二极管、红外光电二极管、极紫外光电二极管、探测器、X射线探测器和LED方面有着悠久的历史
Opto Diode产品提供标准和定制设计，已经支持光学电子行业超过30年，并因其高性能，卓越质量和可靠性而享有盛誉。随着2011年收购国际辐射探测器（IRD）和2014年加州传感器（CSI）的合并，optodiode现在提供极端紫外到中红外（mid-IR）电磁光谱区域行业领先的性能探测器。Opto Diode的产品提供一流的高能粒子、电子、X 射线和紫外线检测，同时具有卓越的灵敏度，可在中红外光谱中分辨出微量气体或检测出热量、火花或火焰。以365nm至940nm高性能LED和覆盖1μm至10μm的红外发射器为辅，我们支持各种细分市场和应用。
Opto Diode光电二极管采用严格的质量控制标准，服务于各种行业，包括：航空航天、汽车、生物技术、食品加工、医疗、军事/国防、工业、半导体设备制造、测试和测量。所有产品均在美国设计和制造。optodiode工厂经过优化，可进行现场晶圆制造、1，000至10，000级无尘室、广泛的装配能力和包装专业知识，提供满足特定设计要求的产品。从原型设计到大批量生产，我们制造晶圆到组件，封装和组装光子模块到光电子系统。
近红外和红光增强光电探测器
Optodiode近红外增强型光电探测器是小尺寸，可以减小占地面积。Optodiode近红外和红光增强光电二极管具有坚固的表面贴装器件，适用于高温操作、雨水和阳光感应应用。
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Opto Diode光电探测器阵列
Opto Diode光电探测器阵列可以在紫外、可见、近红外光中进行响应，从典型的紫外-可见-近红外光子响应性图中可以看到灵敏度小于0.5A/W。是电子检测的理想选择。
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红外发射二极管
Opto Diode SA系列红外发射器被设计用来作为直流稳态黑体辐射发射器，发射器中的辐射元件是一个盘绕的灯丝，采用的特定材料，用发射率典型值为0.70的特定镀膜。输出的辐射在光谱范围里近似成一个黑体。SA系列发射器被设计用于1170 K的额定灯丝温度下工作。
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红外接收二极管
Opto Diode可以制造高性能红外探测器，具有丰富的工作区域尺寸，交替冷却，封装，窗口，透镜和滤波选项。对于气体分析，辐射监测，光谱学，过程控制，火焰和火灾监测等应用来说是理想的探测器。
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OptoDiode集成薄膜滤光片光敏二极管
美国OptoDiode集成薄膜滤光片光敏二极管有AXUV100TF030光敏二极管、AXUV100TF400光敏二极管和SXUV100TF135光敏二极管三个型号。OptoDiode滤光片光电二极管有效面积是100mm²，检测范围是1-80nm。
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OptoDiode分段探测器
美国OptoDiode分段光电二极管有红色增强型和紫外线增强型分段探测器是电子检测最理想的选择，分段光电二极管光谱应用范围是250nm-1100nm。
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Opto Diode可见光增强型探测器
Opto Diode可见光增强型探测器波长范围在400-740nm之间，也可以称之为400-740nm光电探测器。Opto Diode光电二极管具有低电容低暗电流等特点，红色和蓝色增强型光电二极管采用TO-5、TO-8、TO-18封装。红蓝增强型探测器是硅光电二极管或者增强型光电二极管。
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Optodiode集成放大器混合光电二极管
Optodiode集成放大器光电二极管电源电压范围为5至15V，功率耗散15mW，存储和操作温度-25°C至+100°C，焊接温度（距外壳1/16英寸，最长3秒）+260°C。光电二极管的电压供应需要从正极到负极，电压最低5V到最高15V。
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可见光和可见光高功率发光二极管
Optodiode发光二极管适用于需要辐射测量和紧凑光谱带宽的应用，有可见光、可见光高功率、近红外和近红外高功率四种类型发光二极管，本文重点介绍可见光发光二极光和可见光高功率发光二极管。
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Optodiode近红外LED
Optodiode近红外发光二极管具有高光输出、高耐辐射性等特点。Optodiode近红外LED有窄角、中角、广角三种类型，因此又可以分成窄角近红外发光二极管、中角近红外发光二极管和广角近红外发光二极管三种型号。窄角适合长距离应用，中角可以实现最佳覆盖范围/功率密度，广角覆盖大面积。
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高速脉冲红外发射二极管
本篇对SPF220-5M2这种高速脉冲红外发射光源，也叫高速脉冲红外激光二极管，进行简要介绍。红外发射二极管,用于各种医疗和工业领域，包括气体分析、环境监测、光谱学和过程控制
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Optodiode紫外增强型光电探测器
紫外光电二极管UVG100在190-400nm下典型的光子响应是0.08-0.20A/W，在IR=1µA测试条件下，反向击穿电压最小值是5V，典型值是10V。
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Opto Diode极紫外光电二极管
SXUV100极紫外光电二极管具有单个有效区域、检测范围达1nm、暴露在极紫外/紫外条件下仍能稳定响应、保护盖板。SXUV100极紫外光电探测器有效面积是100mm2，在1-1000nm下光子的响应度是0.04-0.34A/W。
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