SiTek位置敏感探测器阵列(PSD-Array)也叫阵列式位敏探测器，由瑞典SiTek生产，主要是由同一芯片上的16个平行一维PSD元件组成，只有一个型号，是1LA16-2,5_SU89。
所属品牌：
SiTek位置敏感探测器阵列(型号：1LA16-2,5_SU89)的规格参数表：
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机械性能规格 |
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规格 |
参数 |
单位 |
|
分段数量Number of segments |
16 |
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每个分段的有效区域 |
2,5 x 0,39 |
mm2 |
|
分段之间的间隙 |
10 |
um |
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电子技术规格 |
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规格 |
标记Symbol |
最小值Min. |
典型Typ. |
最大Max. |
单位Unit |
|
位置非线性 |
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0.1 |
0.2 |
% |
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探测器电阻 |
Rdet |
15 |
25 |
35 |
kΩ |
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漏电流 |
Id |
|
2 |
10 |
nA |
|
噪音电流 |
Inoise |
|
0.8 |
1.1 |
pA/√Hz |
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响应Responsivity |
r |
|
0.63 |
|
A/W |
|
电容 |
Cj |
|
4 |
4.4 |
pF |
|
上升时间(10%-90%) |
tr |
|
70 |
100 |
ns |
|
交互式交流Cross talk |
|
|
0.5 |
1.0 |
% |
|
偏置电压(反向) |
VR |
5 |
15 |
20 |
V |
|
热漂移 |
|
|
20 |
100 |
ppm/°C |
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最大绝对额定值Absolute maximum ratings |
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规格 |
标记Symbol |
参数 |
单位 |
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反向电压Reverse voltage |
VR-max |
30 |
V |
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工作温度 |
Toper |
70 |
ºC |
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储存温度 |
Tstg |
100 |
ºC |
测试条件：室温23ºC，偏置电压15 V，光源波长940nm，位置非线性和热漂移在探测器长度的80%范围内有效。
封装：34针引脚DIP陶瓷基板，21.6x15.0mm2，带保护窗。
SiTek位置敏感探测器阵列(PSD-Array)也叫阵列式位敏探测器，由瑞典SiTek生产，主要是由同一芯片上的16个平行一维PSD元件组成，只有一个型号，是1LA16-2,5_SU89。另外，SiTek探测器利用三角测量技术，激光线或多个激光点在阵列式PSD上的反射将提供有关被照物体轮廓的信息，阵列式位敏探测器可以同时读出16个元件，而且每个元件的响应速度都很快，因此非常适合高速三维轮廓测量和平行移动物体（如悬臂）的测量等应用。为确保高灵敏度，阵列探测器元件之间的间隙已最小化，使填充因子超过97%，同时还具有低串扰和与SiTek其他一维PSD相同的高线性度。
另外，为了在杂散光条件下也能保持性能，SiTek位敏探测器阵列采用了SiTek独特的内置杂散光消除功能，这一专利设计消除了杂散光导致的速度和线性度下降。PSD阵列采用34针引脚双列直插式陶瓷封装，测量长度为2.5mm，还可以定制设计任何长度和数量的PSD元件。
图1：阵列式位敏探测器图示
SiTek位置敏感探测器阵列主要应用：
- 3D测量
- 高速三维轮廓测量
- 平行移动物体（如悬臂）的测量
图2：应用实例图示
SiTek位置敏感探测器阵列的尺寸图示：
图3：阵列式位敏探测器尺寸详细图
注：输出Y1、Y2可互换，阳极Y1、Y2与阴极（偏置引脚）相比必须处于负电位；杂散光区域应连接到与阳极相同的电位。
SiTek位置敏感探测器阵列的光谱响应曲线图：
图4：SiTek位敏探测器阵列的光谱响应曲线图
位敏探测器PSD的应用须知Application information：
位敏探测器PSD的固有分辨率很高，优于百万分之一。因此，基于PSD的测量系统的性能受到其机械、光学和电气组件的限制。
要想获得优异的性能，需要考虑以下几点：
- 调制光源：调制光源可以避免其他光源的影响
- 稳定的温度
- 机械稳定系统
- 高光学分辨率
- 和差信号分割分辨率高
在PSD测量系统中，分辨率、光学灵敏度和测量速度是相互关联的，用户需要为系统做出适当的选择和权衡。
一维/二维位敏探测器SiTek
SiTek探测器主要有两种类型：一维和二维。SiTek位敏探测器PSD根据侧面效应光电二极管原理工作，具有出色的位置分辨率。
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