EOT铟镓砷光电探测器组件包含PIN光电二极管，利用光伏效应将光功率转换为电流。带宽>10GHz，占地面积小、内部电压偏置、直流至22GHz，可选外墙插入式电源、可选光纤耦合或自由空间选项。又叫做EOT铟镓砷探测器、EOT近红外光电探测器、短波红外铟镓砷光电探测器、短波近红外铟镓砷光电探测器、铟镓砷PIN光电二极管探测器、EOT光电探测器、铟镓砷光电二极管探测器等等。
所属品牌：
EOT铟镓砷光电探测器，体积小、带宽>10GHz，内部电压偏置、直流至22GHz、可选外墙插入式电源、光纤耦合或自由空间选项
EOT铟镓砷光电探测器规格：
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名称 |
ET-3500->12.5GHz |
ET-3600-22GH |
ET-4000->12.5GHz |
ET-5000->10GHz |
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型号 |
120-10058-0001 (ET-3500) |
120-10068-0001 (ET-3500F) |
120-10140-0001 (ET-3600) |
120-10142-0001 (ET-3600F) |
120-10071-0001 (ET-4000) |
120-10081-0001 (ET-4000F) |
120-10105-0001 (ET-5000) |
120-10104-0001 (ET-5000F) |
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探测器材料 |
InGaAs |
GaAs |
GaAs |
InGaAs |
InGaAs |
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上升/下降时间 |
<25ps/<25ps |
16ps/16ps |
<30ps/<30ps |
28ps/28ps |
28ps/28ps |
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|
响应度 |
>0.90A/W @1300nm |
>0.65A/W @1300nm |
>0.70A/W @1300nm |
>0.70A/W @1300nm |
>0.53A/W @830nm |
>0.38A/W @830nm |
1.3A/W @2000nm |
0.95A/W @2000nm |
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电源要求 |
6VDC |
6VDC |
3VDC |
3VDC |
3VDC |
3VDC |
3V |
3V |
|
带宽 |
>15GHz |
>15GHz |
>22GHz |
>22GHz |
>12.5GHz |
>12.5GHz |
>10GHz |
>10GHz |
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有效面积直径 |
32µm |
32µm |
20µm |
20µm |
60µm |
60µm |
40µm |
40µm |
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暗电流 |
<3nA |
<3nA |
<1nA |
<1nA |
<0.5nA |
<0.5nA |
<1µA |
<1µA |
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接受角（1/2角） |
15° |
N/A |
15° |
N/A |
15° |
N/A |
20° |
N/A |
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噪声等效功率 |
20pW/Hz @1300nm |
28pW/Hz @300nm |
26pW/Hz @1300nm |
35pW/Hz @830nm |
45pW/Hz @830nm |
15pW/Hz @2000nm |
20pW/Hz @2000nm |
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最大线性额定值 |
10mW |
10mW |
10mW |
10mW |
10mW |
10mW |
3mA |
3mA |
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安装（螺纹孔） |
8-32 or M4 |
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输出连接器 |
SMA |
SMA |
SMA |
SMA |
SMA |
SMA |
SMA |
SMA |
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光纤连接 |
N/A |
FC/UPC,SMF28e |
N/A |
FC/UPC,SMF28e |
N/A |
FC/UPC,SMF28e |
N/A |
FC/UPC |
短波近红外铟镓砷光电探测器包含PIN光电二极管，利用光伏效应将光功率转换为电流。EOT铟镓砷光电探测器又叫做EOT铟镓砷探测器、EOT近红外光电探测器、短波红外铟镓砷光电探测器、短波近红外铟镓砷光电探测器、铟镓砷PIN光电二极管探测器、EOT光电探测器、铟镓砷光电二极管探测器等等。
典型包含可见光、近红外的EOT铟镓砷光电探测器的响应度如下：
ET-3500、ET-4000适合短波可见光区域， 3500F、ET-3600、ET-4000F适用于近红外I区的应用，ET-5000、ET-5000F适用于近红外II区。型号确定的含义：
2代表Silicon，3代表 InGaAs，4代表GaAs，5代表Extended InGaAs，ET是厂家EOT的缩写。
短波近红外铟镓砷光电探测器，三元系材料InxGa1-xAs是由GaAs和InAs形成的混合固溶体的直接带隙半导体，其能带成分因组分的比例不同具有差异，应用广泛。
EOT近红外光电探测器端接到示波器的50Ω电阻时，可以测量激光的脉冲宽度。当铟镓砷PIN光电二极管探测器端接到频谱分析仪的50Ω电阻时，可以测量激光的频率响应。
EOT近红外光电探测器中，>10GHz光电探测器自带由长寿命锂电池组成的内部偏置电源。将同轴电缆插入光电检测器的BNC输出连接器，可以在示波器或频谱分析仪处端接50Ω就可以了。
短波近红外铟镓砷光电探测器的上升/下降时间300ps（典型），影响度0.47A/W@830nm，电源要求直流，带宽>2GHz，输出连接器BNC。特点是占地面积小、内部电压偏置、直流至22GHz、可选外墙插入式电源、光纤耦合或自由空间选项。
探测原理是什么呢？
探测器在完成光电转化过程中，不仅给出表征被测对象的电压、电流信号，同时也伴随着无用噪声的电压、电流信号，这是一种起伏信号，其大小决定了探测器的探测能力。
EOT近红外光电探测器的主要指标如下：
1）光电流是存在入射光照射下光电探测器所产生的光生电流，暗电流则为无光入射的情况下探测器存在的漏电流。其大小影响着光接收机的灵敏度大小，是探测器的主要指标之一。暗电流包括以下几种：尽区中边界的少子扩散电流、流子的产生-复合电流、表面泄漏电流。EOT近红外光电探测器的暗电流<0.1nA。
2）探测器的暗电流与噪声是分不开的，通常光电探测器的噪声主要分为暗电流噪声、散粒噪声和热噪声：暗电流噪声、散粒噪声、热噪声。EOT近红外光电探测器的噪声<0.01pW/Hz。
EOT铟镓砷探测器特点：
-占地面积小
-内部电压偏置
-带宽>10GHz
-直流至22GHz
-可选外墙插入式电源、光纤耦合或自由空间选项
EOT近红外光电探测器应用：
-监控调Q激光器的输出
-监控锁模激光器的输出
-监测外部调制连续激光器的输出
-高频、外差应用
-时域和频率响应测量
EOT低噪声带放大PIN光探测模块
这种组件包含PIN光电二极管，利用光伏效应将光功率转换为电流。占地面积小、内部电压偏置、直流至22GHz，可选外墙插入式电源、可选光纤耦合或自由空间选项。EOT放大光电探测器又叫做EOT低噪声前置放大光电探测器、EOT低噪声带放大PIN光探测模块、EOT跨阻放大光电探测器、放大光电探测器、EOT低噪声放大光电探测器、低噪声放大光电探测器、前置放大光电探测器等等。
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红外探测器
RedWave Labs是一家致力于光电产品的设计、开发与生产的公司，他们能提供覆盖了紫外到红外光谱的光电探测器/光接收器。这种低噪声红外光电探测器可用于飞秒级和高频（从直流到150MHz，从300nm到5µm以下）。能提供的标准型号低噪声光接收器有D101,D100,D104,D124,D123等，具有多增益和低滤波器设置。除了标准产品外，RedWave Labs还为OEM集成提供所有产品的定制版本。在定制激光控制器、光接收器和其他各种电子设备方面已经有十几年的经验。
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Lexitek质子粒子束放射治疗探测器DRD400
在目前市场上广泛应用的质子和粒子束放射治疗中，保证粒子束和质子的质量是治疗的重点。Lexitek的质子和粒子束放射治疗探测器的光学成像分辨率可达到亚毫米分辨率，薄闪烁体最小程度地散射和衰减光束， 这是Lexitek的质子和粒子束放射治疗探测器可以在粒子治疗计划交付之前能够精确测量粒子和质子的基础，提高了治疗中粒子和质子的质量，从而保证了治疗的效果，这是非常重要的。并且Lexitek在光子和电离辐射计数探测器以及基于闪烁体的无损检测x光探测器方面也很有经验，这些经验同样使得Lexitek提供的质子和粒子束放射治疗探测器能够对粒子和质子能够更加精确也更好的成像。
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Alphalas超快光电探测器
Alphalas最具特色的产品是UPD系列超快光电探测器，材料包括InGaAs，GaAs，Si,，Ge等。对于Alphalas超快光电探测器， 其适合测量的光波频率范围从从DC到25 GHz的光波形，覆盖170至2600nm的光谱范围。高速光电探测器是昂贵且笨重的雪崩光电二极管的有利替代品。
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