EOT光电探测器又叫做EOT硅光电探测器、 EOT光电二极管探测器、近红外硅基二极管光电探测器、硅光电探测器、近红外硅光电探测器、硅基光电探测器、硅基二极管光电探测器等等。组件包含PIN光电二极管，利用光伏效应将光功率转换为电流。带宽<10GHz，占地面积小、内部电压偏置、直流至2GHz，可选外墙插入式电源、可选光纤耦合或自由空间选项。
所属品牌： 美国EOT
EOT光电探测器，带宽<10GHz，体积小、内部电压偏置、直流至 2GHz
EOT硅光电二极管探测器包含PIN光电二极管，利用光伏效应将光功率转换为电流，带宽<10GHz。EOT光电探测器又叫做EOT硅光电探测器、 EOT光电二极管探测器、近红外硅基二极管光电探测器、硅光电探测器、近红外硅光电探测器、硅基光电探测器、硅基二极管光电探测器等等。
当EOT硅光电二极管探测器端接到示波器的50Ω电阻时，可以测量激光的脉冲宽度。当EOT硅光电二极管探测器端接到频谱分析仪的50Ω电阻时，可以测量激光的频率响应。
EOT光电二极管探测器中，<10GHz光电探测器自带由长寿命锂电池组成的内部偏置电源。将同轴电缆插入光电检测器的BNC输出连接器，可以在示波器或频谱分析仪处接50Ω就可以了。
带宽这个物理量非常重要，如果不作具体说明的话，一般指的两个。一个是光探测器的工作波长，俗称工作带宽，比如工作带宽600-1700nm；还有一个是指测试脉冲光信号时，脉冲信号的重复频率，比如10G光探测器，20G光探测器，1G光探测器等。
近红外硅基二极管光电探测器的上升/下降时间300ps（典型），影响度0.47A/W@830nm，电源要求直流，带宽>2GHz、暗电流<0.1nA、噪声<0.01pW/√Hz，输出连接器BNC。
典型包含可见光、近红外硅光电探测器的响应度如下：
EOT光电探测器规格：
|
产品系列 |
ET-2060 |
ET-2060 |
ET-2060 |
ET-2070 |
ET-3000- |
ET-3010 |
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光电探测器型号 |
120-10011-0001 (ET-2030) |
120-10028-0001 (ET-2040) |
120-10133-0001 (ET-2060) |
120-10134-0001 (ET-2070) |
120-10034-0001 (ET-3000) |
120-10050-0001 (ET-3010)a |
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探测器材料 |
Silicon |
InGaAs |
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上升/下降时间 |
<300ps/<300ps |
<30ns/<30ns |
<320ps/<320ps |
3ns/3ns |
<175ps/<175ps |
<175ps/<175ps |
|
响应度 |
0.47A/W @830nm |
0.6A/W @830nm |
0.47A/ W@830nm |
0.56A/W @830nm |
0.9A/W @1300nm |
0.9A/W @1300nm |
|
电源要求 |
9VDC |
24VDC |
9VDC |
24VDC |
6VDC |
6VDC |
|
带宽 |
>1.2GHz |
>25MHz |
>1.1GHz |
>118MHz |
>2GHz |
>2GHz |
|
有效面积直径 |
0.4mm |
4.57mm |
0.4mm |
2.55mm |
100μm |
100μm |
|
暗电流 |
<0.1nA |
<10nA |
<0.1nA |
<10nA |
<2.0nA |
<3.0nA |
|
接受角（1/2角） |
10° |
60° |
--- |
50° |
20⁰ |
--- |
|
噪声等效功率 |
<0.01pW/√Hz |
0.09pW/√Hz |
<0.01pW/√Hz |
<0.10pW/√Hz |
<0.03pW/√Hz |
0.03pW/√Hz |
|
最大线性额定值 |
连续电流3mA 脉冲电流:3mA |
连续电流:2mA 可选输入:3mW |
连续电流:3mA 可选输入:3mA |
连续电流:2.5mA 脉冲电流:15mA |
连续电流5mA |
连续电流:5mA |
|
安装（螺纹孔） |
8-32orM4 |
8-32orM4 |
8-32orM4 |
8-32orM4 |
8-32orM4 |
8-32orM4 |
|
输出连接器 |
BNC |
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EOT硅光电探测器特点：
-占地面积小
-内部电压偏置
-带宽<10GHz
-直流至 2 GHz
-可选外墙插入式电源、光纤耦合或自由空间选项
EOT光电二极管探测器应用：
-监控调Q激光器的输出
-监控锁模激光器的输出
隔离器Moltech
德国Moltech隔离器的标准产品和定制产品范围有：Moltech单级隔离器、Moltech双级隔离器、Moltech隔离度可调隔离器、Moltech宽光谱隔离器等。在半导体激光源和光传输系统之间安装一个激光隔离器，可以在很大程度上减少反射光对光源的光谐输出功率稳定性产生的不良影响
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高功率隔离器Moltech
随着高功率激光器市场增长，德国MolTech公司开发了5000W高功率隔离器。Moltech高功率隔离器和独特的Moltech法拉第旋转器系列产品专为集成到高功率激光系统而设计，可根据要求提供高达100 mm的孔径和覆盖510至1100 nm的波长。
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PAVOS法拉第光隔离器
PAVOS高功率法拉第光隔离器有效孔径可选，峰值透过率>95%，标准PAVOSa相比，吸收和热透镜焦移的1/10，理论上比非线性折射率低10倍。又叫做EOT高功率隔离器、EOT高功率法拉第光隔离器、PAVOS法拉第光隔离器、PAVOS高功率法拉第光隔离器、大功率光隔离器、高功率法拉第隔离器、高功率光隔离器等等。PAVOS高功率法拉第光隔离器等等波长范围覆盖1010-1080nm，被动安装，热透镜效应小，最高功率可达400W，可定制。
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PAVOS法拉第光旋转器
PAVOS高功率法拉第光旋转器又叫做EOT高功率旋转器、EOT高功率法拉第光旋转器、PAVOS法拉第光旋转器、PAVOS高功率法拉第光旋转器等等。PAVOS高功率法拉第光旋转器等等波长范围覆盖1010-1080nm，被动安装，最高功率可达150W，可定制。有效孔径可选，峰值透过率>95%，标准PAVOSa相比，吸收和热透镜焦移的1/10，理论上比非线性折射率低10倍。
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