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Armadillo高数值孔径光纤: 硬质聚合物包层光纤,硅包层光纤,掺锗光纤,硼硅酸盐光纤

作者:admin  时间:2025-6-23 5:32:34

Armadillo生产的硬质聚合物包层石英光纤,硅包层石英光纤,掺锗石英光纤,适用于350nm-2400nm波段,具有0.37-0.57的大数值孔径NA;硼硅酸盐光纤适用于400nm-700nm波长,具有宽数值孔径NA0.22~0.57,特殊型号的定制硼硅酸盐光纤NA可达0.87,纤芯25-100μm。大数值孔径光纤适用于照明、医疗、光谱学等不同应用。

Armadillo SIA的高数值孔径光纤重新定义了依赖于上级数值孔径值的应用的可能性。数值孔径(NA)从根本上影响光纤性能,因为它决定了光纤的聚光能力和可以有效传输的光量,这对于大数值孔径光纤在各种光学应用中实现卓越的精度至关重要。目前Armadillo的高数值孔径光纤分类下有四种产品:ArmD®UV-HCArmD®NIR-HC硬质聚合物包层光纤、ArmD® UV-SC/NIR-SC硅包层石英光纤、ArmD® NIR-Ge掺锗石英光纤、ArmD® Borosilicate硼硅酸盐光纤。


Armadillo大数值孔径光纤选型参数



1. 光纤类型: UV = ArmD® UVNIR = ArmD® NIRSRC = ArmD® UV-SRCSHP = ArmD® ShapedNGE = ArmD® NIR-GeUHC = ArmD® UV-HCNHC = ArmD® NIR-HCMID = ArmD® MID-IR BBD = ArmD® Broadband

2. 标准芯/包层比: Core ø (μm) / Cladding ø (μm)

3. 缓冲层: H = 硬聚合物缓冲;S=硅胶缓冲;无信息=无缓冲;

4. 颜色: B = blackBL = blueW = whiteY = yellowR = redG = green;无=透明;

5. 铠装: A=丙烯酸酯护套(无缓冲)F=PFA Fluon®N=尼龙护套(硅胶或硬质聚合物护套)T=ETFE护套(硅胶或者硬质聚合物缓冲)P=聚酰亚胺护套(无缓冲)

6. 数值孔径(NA)-12 = 0.1228 = 0.2822 = 0.22

ArmD® NIR-Ge掺锗石英光纤

ArmD® NIR-Ge掺锗光纤,NIR-Ge掺锗石英光纤通过0.37的最大数值孔径(NA)脱颖而出。这些硅芯掺锗光纤性能卓越,并提供广阔的光谱范围。Armadillo SIA的近红外掺锗光纤有多种纤芯直径可供选择,可根据您的规格进行定制。

掺锗光纤特点

-掺锗石英玻璃芯

-阶跃型光纤

-适用于高温、高真空和恶劣化学品的特殊夹克

-NA膨胀非常低

-生物相容性材料

-可使用ETO和其他方法进行消毒

掺锗石英光纤参数

特性

描述

波长/光谱范围

ArmD® NIR-Ge:400–2400 nm

数值孔径 (NA)

0.37± .02(可根据要求提供更高NA)

工作温度

-40~+150 °C

纤芯直径

可选范围:50~2000 μm

标准纤芯/包层比例

1:1.04、1:1.06、1:1.1、1:1.15、1:1.2、1:1.25、1:1.4 或定制比例(如 1:100)

标准抗拉强度测试

100 kpsi(尼龙、ETFE、丙烯酸护套) | 70 kpsi(聚酰亚胺护套)

最小弯曲半径

50×包层直径(短期机械应力) | 150×纤芯直径(高激光功率下使用时)

ArmD® Borosilicate硼硅酸盐光纤

ArmD® Borosilicate硼硅酸盐光纤,硼硅酸盐纤维以较低的成本在各种应用中提供显著的优势。它们在光传输方面表现出色,并且由于它们的高芯包层比而允许在光纤束中紧密包装。建议线束长度不超过30英尺,以保持传输效率。ArmD® Borosilicate硼硅酸盐光纤是成像、内窥镜、光谱等应用的首选。

参数

特性

描述

波长/光谱范围

400–700 nm

数值孔径(NA)

0.22±0.02~0.87±0.02(也可按需定制)

最高工作温度

480 °C

纤芯直径

可选范围:25~100 µm

最小弯曲半径

50×包层直径(长期使用)

硬质聚合物包层光纤

ArmD®UV-HC和ArmD®NIR-HC硬质聚合物包层光纤,提供高数值孔径。硬塑包层光纤适用于从远程照明到光动力治疗的广泛应用。这种高质量的硬塑包层光纤是二氧化硅/二氧化硅光纤的经济高效的替代品。


硬塑包层光纤特点

-成本效益(与二氧化硅/二氧化硅纤维相比)

-高同心度

-全电介质、非磁性设计

-阶跃型光纤

-生物相容性材料

-可使用ETO和其他方法进行消毒

硬塑包层光纤参数

特性

描述

波长/光谱范围

ArmD®UV-HCArmD® NIR-HC3502200 nm

数值孔径(NA)

0.37±0.02 | 0.48±0.02 | 0.52±0.02 | 0.57±0.02

工作温度

-40~+150°C

纤芯直径

可选范围:100~2000μm

羟基(OH)含量

ArmD®UV-HC:高(>700ppm) | ArmD® NIR-HC:低(<1ppm)

标准抗拉强度测试

100kpsi

最小弯曲半径

50×包层直径(短期机械应力) | 150×纤芯直径(高激光功率下使用时)

ArmD ® UV-HC衰减

ArmD ® NIR-HC衰减


硅包层石英光纤

ArmD® UV-SC/NIR-SC硅包层石英光纤,Armadillo的硅包层光纤可确保在紫外到近红外波长范围内的高传输值,硅包层光纤适用于从远程照明到高功率激光传输和光谱学的各种应用。我们的ArmD® UV-SCNIR-SC硅包层光纤在紫外和中红外波段传输方面表现出色,可提供完全的生物相容性和成本效益,是传统二氧化硅光纤的替代品。


硅包层光纤特点

-高同心度

-阶跃型

-生物相容性材料

-可使用ETO和其他方法进行消毒

硅包层光纤参数

特性

描述

波长 / 光谱范围

ArmD® UV-SCArmD® NIR-SC350–2200 nm

数值孔径 (NA)

0.40±0.02

工作温度

-40~+150 °C

纤芯直径

可选范围:100~2000 μm

羟基 (OH) 含量

ArmD® UV-SC:高 (> 700 ppm) | ArmD® NIR-SC:低 (<1ppm)

标准抗拉强度测试

100 kpsi

最小弯曲半径

50×包层直径(短期机械应力) | 150×纤芯直径(高激光功率下使用时)










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